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1、名目基本情况
公司 12 英寸集成电路制造分娩线三期名目计算成就一条盘算产能 5.0 万片/月的 12 英寸特色工艺晶圆分娩线,其中三维集成业务(双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成、2.5D 以及配套逻辑)关系产能共计 4.0 万片/月,RF-SOI产能 1.0 万片/月,实檀越体为新芯集成。
在数据量倍增和万物互联的大期间配景下,一系列高端三维集成产品裸知道来并茁壮发展,并通过功能集成、异构集成的方法,抖擞个东谈主消费和工业开拓对高性能、高集成的共同需求。
阐述 Yole 统计,2023 年,众人高端三维集成制造阛阓畛域大致为 22.49 亿好意思元,展望到 2028 年,众人三维集成技艺制造阛阓畛域总数约为 98.79 亿好意思元,2023 至 2028 年的年均复合增长率为 34.45%,阛阓后劲广宽。
该名目依托公司在三维集成与数模搀杂业务畛域现存的滥觞工艺、技艺与量产训导,进一步完善并延展关系工艺平台,建成后将权贵训导公司产能畛域并助力公司的工艺技艺迈上新台阶,增强公司中枢竞争力、训导公司行业地位。
2、名目投资概算
本名目展望总投资 280 亿元,建筑工程费 16.37亿元,公用开拓购置及装配费 38.67亿元,分娩开拓购置及装配费 211.15亿元,工用具及产品费 0.61亿元,固定钞票其他用度 3.15亿元,其他钞票 0.03亿元,筹商费 3.52亿元,铺底流动资金 6.5亿元。
3、时辰周期和投资进程安排
本名目成就期为2年,展望T+0年开工成就,T+1年完成厂房及无尘室成就,T+2 年建成初试线。产能逐年增长,展望 T+4 年完成产能成就,达到 5.0 万片/月。
4、名目触及地皮使用权情况
本名目在新芯集成现存厂区预留旷地上营建,已取得编号为鄂(2024)武汉市东开不动产权第 0015515 号的地皮权属评释,不触及新增地皮使用权情形。
5、名目备案及环评情况
本名目已本质国度关系控制部门四肢,当今正在向筹商部门央求办理名目备案和环评批复中。
6、主要产品或工作
(1)按业务类型分类
公司主要向客户提供 12 英寸特色工艺晶圆代工,阐述客户需求提供特色存储、数模搀杂和三维集成等畛域多种类别半导体产品的晶圆代工。公司在特色存储畛域亦谋划自有品牌 NOR Flash 产品。此外,公司还可为客户提供研发流片、技艺授权、光掩膜版等其他配套业务。
(2)按工艺平台分类
施展期内,公司主贸易务按工艺平台可主要分为特色存储、数模搀杂和三维集成畛域。
①特色存储
施展期内,公司在特色存储畛域主要提供 NOR Flash、MCU 等产品的晶圆代工。除晶圆代工之外,公司亦谋划自有品牌 NOR Flash 产品。
A. NOR Flash
公司是中国大陆畛域最大的NOR Flash制造厂商,近十余年来不息深耕NORFlash 畛域。规定 2024 年 3 月底,公司 12 英寸 NOR Flash 晶圆累计出货量如故超越 130 万片。
NOR Flash 是一种非易失性存储芯片,具有读取速率快、可靠性强、可芯片内本质(XIP)等特色,在中低容量应用以及需要用低功耗完成里面提示本质、系统数据交换等功能的产品上具备性能和资本上的上风,因此世俗应用于盘算机、消费电子(智能家居、TWS 耳机、衣着式开拓、路由器、机顶盒等)、汽车电子(高等驾驶提拔系统、车窗抑遏、仪容盘)、工业抑遏(智能电表、机械抑遏)、物联网开拓等畛域。当今,NOR Flash 主要包括基于浮栅技艺的 ETOX 型和基于电荷俘获技艺的SONOS 型两类主流基础工艺结构。
ETOX 型 NOR Flash 工艺结构方面,公司技艺节点涵盖 65nm 到 50nm,其中自主研发的 50nm 技艺平台具有业内滥觞的存储密度。公司“代码型闪存芯片成套中枢技艺研发过甚产业化”名目曾取得湖北省科技超越一等奖。
施展期内,公司与客户二、客户三等行业头部客户保持默契配合关系,为客户提供各技艺节点下各类 ETOX 型 NOR Flash 晶圆代工。公司自有品牌 NOR Flash 产品收受 ETOX 型工艺结构,擦写速率与耐受性、数据保持等可靠性与本性计算业内滥觞。施展期内,公司主要以经销模式销售NOR Flash 产品,与行业头部电子元器件分销商造成了默契配合关系,主要应用于消费电子、盘算机、工业抑遏等畛域。
SONOS 型 NOR Flash 工艺结构方面,公司系客户一代码型闪存(产品 A)众人唯独晶圆代工供应商。产品 A 主要应用于汽车电子、工业抑遏畛域。
B. MCU
施展期内,公司在特色存储畛域亦提供 MCU 产品的晶圆代工。MCU 又称单片袖珍盘算机,系将 CPU 的频率与规格作念适合缩减,并将 Flash、ADC、计数器等模块集成到归拢颗芯片,从而为不同的应用场地提供组合抑遏。公司领有业内滥觞的 55nm ESF3 架构1MCU 工艺,其中超低功耗 MCU 平台已默契量产、高性能 MCU 平台已完成研发。施展期内,公司 MCU 畛域客户主要包括恒烁股份等,所代工 MCU 产品应用场景由消费电子拖拉鼓动至工业抑遏及汽车电子畛域。
②数模搀杂
公司在数模搀杂畛域主要提供 CIS、RF-SOI 等产品晶圆代工。
A. CIS
公司具备 CMOS 图像传感器制造全经由工艺,包括以 55nm 逻辑工艺为基础开发的 CIS 像素(Pixel)工艺以及背照式、堆栈式产品所需的 BSI、键合工艺等,可为客户提供各类 CIS 产品的晶圆代工。
CIS 是一种运用光电调节技艺旨趣所制造的图像传感元件,阐述消费、车载、工业等不同应用场景的感光才智、动态范围、图像分辨率等需求,像素单元尺寸从数微米到 0.5 微米,像素数目从数百万到亿级不等。阐述工艺架构不同,CIS主要分为前照式、背照式和堆栈式2三类,其中背照式和堆栈式已成为中高端 CIS产品主流结构。
CIS 晶圆代工方面,公司技艺平台布局无缺,技艺实力滥觞,领有障翳 0.7微米及以上的像素工艺才智、多年默契量产的 BSI 工艺和键合工艺,量子恶果、动态范围、暗电流、噪声、白点等工艺关系关键性能计算达到海外先进水平。
施展期内,公司与客户四、客户五等行业头部客户保持默契配合关系,所提供晶圆代工的 CIS 产品已世俗障翳消费、工业、医疗、汽车等各项应用畛域。
B. RF-SOI
施展期内,公司在数模搀杂畛域亦提供 RF-SOI 产品的晶圆代工,领有 55nm绝缘体上硅工艺无缺常识产权。RF-SOI 晶圆代工是公司翌日在数模搀杂畛域要点发展的标的,亦是公司 12 英寸集成电路制造分娩线三期名看法伏击成就部分。
RF-SOI 是一类使用部分销耗的绝缘体上硅工艺分娩的射频前端芯片,可集成射频开关、低噪声放大器、天线调谐器、功率放大器等器件,具有更低插入损耗、更高增益的性能上风,因循 5G、毫米波通讯。公司自主开发的 55nm RF-SOI 技艺国内滥觞,已完毕 55nm RF-SOI 产品量产。同期,公司如故运行下一代 40nm 工艺技艺研发。施展期内,公司已与 RF-SOI畛域多家国内头部想象公司客户开展配合,提供晶圆代工的 RF-SOI 产品可世俗应用于智高手机等无线通讯畛域。
③三维集成
公司三维集成畛域工艺的典型经由如下(以双晶圆堆叠平台为例):
跟着摩尔定律不休超越,集成电路产品最小线宽已接近极限,通过进一步削弱工艺节点以更好抖擞算力、速率、功耗、面积方面的需求越发贫穷,晶圆级三维集成技艺已成为完毕“超越摩尔”的伏击道路。
晶圆级三维集成技艺系指在垂直方进取将载片或功能晶圆堆叠,或将芯片与晶圆进行堆叠,并在各层之间通过硅通孔、搀杂键合等工艺技艺完毕平直的电气互连。通过晶圆级三维集成,可绕开单片晶圆单一制程节点限制,将使用最优制程节点的各功能晶圆进行集成,并灵验提高单元面积功能密度。与引线键合(WireBonding)、倒装键合(Flip Chip)等封装方法比拟,晶圆级三维集成技艺提供更高的芯片间互联密度、更短芯片间互连长度,不错更好镌汰延时、增多传输带宽,抖擞低功耗、小尺寸等要求。
公司具有海外滥觞的晶圆级三维集成技艺。施展期内,公司三维集成业务主要系按照工艺架构进行永别,已告捷构建双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成和 2.5D(硅转接板 Interposer)四大工艺平台,应用于三维集成畛域各类产品的晶圆代工。公司三维集成畛域各项细单干艺平台具体情况如下:
(1)双晶圆堆叠平台:该平台将两片晶圆的介质层与金属层通过低温平直键合的方法造成金属互连,在灵验减小芯单方面积的同期普遍增多 I/O 数目,达到增多传输带宽、镌汰延时及系统功耗的优点,当今因循业界最小的搀杂键合贯穿孔距(HB pitch)。
(2)多晶圆堆叠平台:该平台通过无凸点(Bumpless)工艺完毕多片晶圆的铜-铜平直、超高密度互连,其互连尺寸远小于微凸块封装等方法,可权贵训导传输带宽,且对散热愈加友好、有意于镌汰功耗。
(3)芯片-晶圆异构集成平台:该平台可完毕不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圆间平直键合,极大训导系统集成的天真目田度,公司建成了中国大陆首条十足自主可控的三维异构集成工艺产线,正与产业链高下贱企业深度配合进行产品考证。
(4)2.5D(硅转接板 Interposer)平台:该平台提供具有天果然多光罩超大尺寸拼接、超高密度深沟槽电容、多层金属重布线层等技艺上风的硅转接板,可与 2.5D 封装工艺相纠合,为集成系统提供亚微米级精度铜互连,权贵减小系统延伸、插损及功耗等,当今如故畛域量产。
三维集成畛域是公司翌日发展的要点标的,亦然公司 12 英寸集成电路制造分娩线三期名看法主要构成部分。公司勤奋于成为三维期间半导体先进制造引颈者,展望翌日三维集成业务占比将拖拉训导。
无缺版可行性研究施展依据国度部门及场所政府关系法律、规则、尺度,本着客不雅、务实、科学、公谈的原则,在现存大概掌执的费力和数据的基础上,主要就名目成就配景、需求分析及必要性、可行性、成就畛域及本体、成就要求及有计算、名目投资及资金着手、社会效益、经济效益以及名目成就的环境保护等方面逐个进行研究论证,以细目名目经济上的合感性、技艺上的可行性,为名目投资主体和控制部门提供决策参考。
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